Приглашенные докладчики
- Эхуд Алтман (Институт Вайцмана)
- Олег Астафьев (Исследовательская Лаборатория NEC в области наноэлектроники)
- Павел Бушев (Технологический Институт Карлсруэ)
- Борис Блинов (Университет Вашингтона)
- Томмасо Каларко (Университет Ульма)
- Вячеслав Добровицкий (Лаборатории Амес)
- Джон Дойл (Гарвардский Университет)
- Артур Экерт (Центр Квантовых Технологий, Сингапур)
- Аркадий Фёдоров (Техническая высшая школа, Цюрих)
- Сергей Фролов (Технологический Университет Делфта)
- Алексей Горшков (Калифорнийский Технологический Институт)
- Евгений Ильичев (Институт физики высоких технологий)
- Федор Железко (Университет Ульма)
- Алексей Китаев (Калифорнийский Технологический Институт)
- Ольга Кочаровская (Университет A&M, Техас)
- Николай Колачевский (Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН)
- Алекс Кузмич (Технологический Институт Джорджии)
- Леонид Левитов (Массачусетский Технологический Институт)
- Михаил Лукин (Гарвардский Университет)
- Юрий Махлин (Институт теоретической физики им. Ландау)
- Андрей Мальцев (Институт теоретической физики им. Ландау РАН)
- Владимир Манучарян (Гарвардский Университет)
- Кристофер Монро (Университет Мэриленда)
- Гонкунг Парк (Гарвардский Университет)
- Юрий Пашкин (Исследовательская Лаборатория NEC в области наноэлектроники)
- Тильман Пфау (Университет Штутгарта)
- Лев Питаевский (Институт физических проблем им. Капицы и Университет Тренто, Италия)
- Евгений Ползик (Институт Нильса Бора, Копенгаген)
- Игорь Рябцев (Институт физики полупроводников РАН)
- Валерий Рязанов (Институт физики твёрдого тела РАН)
- Йорг Шмидмайер (Технический Университет Вены)
- Герд Шён (Технологический Институт Карслруе)
- Владимир Шалаев (Университет Пердю)
- Георгий Шляпников (Парижский Университет Зюд)
- Карл Вильямс (Национальный Институт Стандартов и Технологий, США)
- Алексей Желтиков (Московский Университет)
- Сергей Зибров (Физический институт им. П.Н. Лебедева )
- Мартин Цвирлайн (Массачусетский Технологический Институт)